展品名称：48nm Serial NOR Flash

展品应用领域：网络通讯、安防监控、消费电子及物联网中的各个领域

展品简介：

国内领先的48nm NOR闪存工艺技术东芯在原有Serial NOR Flash产品的性能基础上进行优化升级，工艺不断得到创新，拥有密度更高、功能更复杂的芯片电路设计，从而使得产品的特征尺寸不断缩小，使得Die size更小，从而在成本上取得了优势，也更广泛地适配于各种应用领域。

48nm的新产品较原有SPI NOR FLASH相比，继续支持标准SPI/Dual/Qual SPI及QPI的基础上，增加了DTR传输模式，即在时钟上升沿和下降沿都可以进行数据输出，相较于之前STR的单时钟边沿采样，同样的频率下，有了双倍的传输速率，进一步提高了数据访问的效率。再加以采用了48nm制程工艺技术，使得新产品在读写速度上占优势，在相同条件下产品功耗更小，有效延长产品寿命。

展品名称：24nm NAND Flash

展品应用领域：网络通讯、安防监控、消费电子及物联网中的各个领域

展品简介：

24nm的先进工艺制程有效地缩小了器件的特征尺寸，拥有密度更高、功能更复杂的芯片电路设计从而进一步缩小了产品封装后的尺寸,拥有密度更高、功能更复杂的芯片电路设计，降低了产品功耗，有效地延长了产品的使用寿命，并且让器件性能均得到提高，使得更好地满足常规电压、移动物联网时代对低功耗的要求。

东芯通过自主研发是实现可内置封装的ECC模块，实现了存储单元与功能单元的高度集成在同一颗芯片内，有效减少了芯片成品面积，缩短了存储数据的读写时间。同时东芯设计的ECC模块可以校验高达8bit的错误数据，以512Byte大小闪存单元为例，当其中存储的数据出现错误的位数在8位及8位以下时，ECC模块可以精准识别并自动修改错误数据，大幅度提升存储芯片的容错性和可靠性。

展品名称：105℃ NAND Flash

展品应用领域：网络通讯、安防监控、消费电子及物联网中的各个领域

展品简介：

产品在耐久性、数据保持特性等方面表现稳定，不仅在工业温控标准下单颗芯片擦写次数已经超过 10 万次，同时可在-40℃到 105℃的极端环境下保持数据有效性长达 10 年，产品可靠性逐步从工业级标准向车规级标准迈进。